實驗半導體恒溫培養箱原理.特點

工作原理：
    本恒溫箱的熱交換是采用一塊基於(yu) 帕爾帖效應的半導體(ti) 製冷器件M，電路見圖。圖中，RT1,RT2均為(wei) 型號MF53-1的負溫度係數的熱敏電阻（NTC），分別用作室溫（環境溫度）和培養(yang) 箱內(nei) 溫度的溫度探頭。運放U1A，U1B的反相輸入端有同一基準電位V b，為(wei) 敘述方便，現假定設定U1A的起控溫度為(wei) 25℃，U1B的起控溫度也為(wei) 25℃。那麽(me) ：當室溫低於(yu) 25℃時，有Vc＜Vb，U1A輸出低電平，Q4截止，KP1不工作，其常閉觸點接通M的A,A2位置，此時，若培養(yang) 箱內(nei) 溫度低於(yu) 25℃，則有Va ＞Ⅴb，U1B輸出高電平,Q3導通,光電耦合器U4得到初級工作電流,其次級光敏三極管導通為(wei) 可控矽提供觸發電流,可控矽導通,接通M的工作電源。M得電開始工作，因M加的是正向工作電流，所以M的工作麵發熱，因而培養(yang) 箱內(nei) 溫度升高，RT2阻值逐暫變小，Va逐暫變小，當培養(yang) 箱內(nei) 溫度高於(yu) 25℃時，出現Va＜Vb。U1B輸出低電平，Q3截止，光電耦合器失去初級工作電流而使其次級光敏三極管關(guan) 斷，可控矽VS失去觸發電流而關(guan) 斷。M失去工作電流而停止工作，培養(yang) 箱內(nei) 溫度不再上升而逐暫下降。當培養(yang) 箱內(nei) 溫度再次低於(yu) 25℃時，可控矽再次得到觸發電流而工作，M再次得電而工作，培養(yang) 箱內(nei) 溫度再次升高，如此循環，使培養(yang) 箱內(nei) 溫度維持在一定的範圍內(nei) 。
    當室溫高於(yu) 25℃時，有Vc＞Vb，U1A輸出高電平，Q4導通，KP1得電工作，其常開觸點閉合，此時，M的B,B2接入電路，M通過反向電流，其工作麵得電製冷。此時，若培養(yang) 箱內(nei) 溫度高於(yu) 25℃，則有Va＜Vb，U1B輸出低電平，又因U1A輸出高電平，故此時Q2,Q3均導通，光電耦合器U4得到初級工作電流而使其次級光敏三極管導通為(wei) 可控矽VS提供觸發電流而使VS觸發導通，M得電工作製冷。於(yu) 是，培養(yang) 箱內(nei) 溫度開始下降，RT2的阻值開始增大，當培養(yang) 箱內(nei) 溫度降到低於(yu) 25℃一下時，出現Va＞Vb，U1B輸出高電平，Q2截止，光電耦合器失去初級工作電流而使其次級光敏三極管關(guan) 斷，可控矽失去觸發電流而關(guan) 斷，M失電而停止工作，M不再製冷，培養(yang) 箱內(nei) 溫度不再下降而開始回升，當培養(yang) 箱內(nei) 溫度 再次上到25℃時 ，M 又得電工作而再次製冷。如此循環，以維持培養(yang) 箱內(nei) 溫度在一定的範圍內(nei) 。U1C,U1D為(wei) 極限溫度檢測電路，當某種原因使培養(yang) 箱內(nei) 溫度超過設定報警溫度上限或者低於(yu) 設定溫度下*，必有U1C或者U1D之一輸出高電平而使聲源集成電路U3得電工作經Q5放大後驅動揚聲器發聲報警。另外，還通過R8,C8組成的延時電路後推動Q6動作切斷主電路的供電以強迫主電路停止工作而不再產(chan) 熱或者製冷。C9是為(wei) 消除臨(lin) 界溫度引起KP1頻繁動作而設。